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磁控濺射靶源

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磁控濺射靶源 磁控濺射靶源

磁控濺射靶源

磁控濺射靶源

我司提供的磁控濺射源是目前唯一和超高真空系統(1e-11torr)匹配的商業用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結構中，可烘烤至250℃。在匹配的超高真空環境下，可以實現超高純度的濺射沉積。






應用范圍：
金屬沉積；
電介質沉積；
復合物沉積。



技術參數:
不同型號濺射源可以選用不同靶材尺寸 .1”,2”,3” 等各種靶材尺寸均可使用;
靶材厚度薄,最低4mm,節約靶材;
濺射源法蘭上帶有氣體管道，以便提高操作濺射源時的真空。
手動/馬達驅動 擋板
濺射源可設計成原位傾斜，傾斜角度(+/-30o)
氣體流量控制
進程全自動化
真空中可烘烤至250攝氏度;
占用空間小;
冷卻水流量低,僅0.5L/min
上一個:IG2型離子源 / 氬槍 下一個:電子束蒸發源

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